文献
J-GLOBAL ID:201902248416983759
整理番号:19A1887495
熱アニーリングによるCsPbBr_3ナノインクから焼結CsPbBr_3-CsPb_2Br_5膜へ:オプトエレクトロニクス特性への影響【JST・京大機械翻訳】
From CsPbBr3 Nano-Inks to Sintered CsPbBr3-CsPb2Br5 Films via Thermal Annealing: Implications on Optoelectronic Properties
著者 (12件):
Palazon Francisco
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Dogan Sedat
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Marras Sergio
(Materials Characterization Facility, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Locardi Federico
(Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy)
,
Nelli Ilaria
(Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy)
,
Nelli Ilaria
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Rastogi Prachi
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Rastogi Prachi
(Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy)
,
Ferretti Maurizio
(Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Universita degli Studi di Genova, Italy)
,
Prato Mirko
(Materials Characterization Facility, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Krahne Roman
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
,
Manna Liberato
(Nanochemistry Department, Istituto Italiano di Tecnologia)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
121
号:
21
ページ:
11956-11961
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)