文献
J-GLOBAL ID:201902248740304833
整理番号:19A1414997
局所歪エンジニアリングによるモノリシック集積InGaN系発光ダイオードからの色混合【JST・京大機械翻訳】
Color mixing from monolithically integrated InGaN-based light-emitting diodes by local strain engineering
著者 (4件):
Chung Kunook
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
,
Sui Jingyang
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
,
Demory Brandon
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
,
Ku Pei-Cheng
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
4
ページ:
041101-041101-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)