文献
J-GLOBAL ID:201902248741855568
整理番号:19A1522545
プラズマ処理中のa-Si:H/c-Siヘテロ接合における界面欠陥のその場検出
In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
著者 (3件):
NUNOMURA Shota
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKATA Isao
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUBARA Koji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
12
号:
5
ページ:
051006.1-051006.5
発行年:
2019年05月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)