文献
J-GLOBAL ID:201902248879567511
整理番号:19A1413816
イオン液体/ポリ(イオン液体)ブレンドイオンゲルでゲートした高性能フォトリソグラフィーパターン化高分子薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
High performance photolithographically-patterned polymer thin-film transistors gated with an ionic liquid/poly(ionic liquid) blend ion gel
著者 (4件):
Thiburce Q.
(Experimental Solid State Physics Group, Department of Physics, Imperial College London, Blackett Laboratory, South Kensington Campus, London SW7 2AZ, United Kingdom)
,
Porcarelli L.
(Institute for Polymer Materials, POLYMAT, University of the Basque Country (UPV-EHU), Joxe Mari Korta Center, Avda. Tolosa 72, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain)
,
Mecerreyes D.
(Institute for Polymer Materials, POLYMAT, University of the Basque Country (UPV-EHU), Joxe Mari Korta Center, Avda. Tolosa 72, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain)
,
Campbell A. J.
(Experimental Solid State Physics Group, Department of Physics, Imperial College London, Blackett Laboratory, South Kensington Campus, London SW7 2AZ, United Kingdom)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
23
ページ:
233302-233302-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)