文献
J-GLOBAL ID:201902250068866390
整理番号:19A1416207
ナノスケールSiベーススピンバルブ素子における逆スピンバルブ効果【JST・京大機械翻訳】
Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices
著者 (3件):
Hiep Duong Dinh
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-0033, Japan)
,
Tanaka Masaaki
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Hai Pham Nam
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-0033, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
22
ページ:
223904-223904-7
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)