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文献
J-GLOBAL ID：201902250339646462
整理番号：19A1895866
四元系algainN障壁層とAl_2O_3ゲート絶縁体を用いた高破壊電圧AlGaNチャネル金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator
Hosomi Daiki
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Furuoka Keita
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Chen Heng
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Saito Saki
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Kubo Toshiharu
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Egawa Takashi
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Miyoshi Makoto
(Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37 号： 4 ページ： 041205-041205-4 発行年： 2019年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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