文献
J-GLOBAL ID:201902251238717709
整理番号:19A1758950
h-BNゲート絶縁体を持つボトムゲートβ-Ga_2O_3MISFETにおける還元自己加熱のモデリングとシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】
Modeling and Simulation Study of Reduced Self-Heating in Bottom-Gate β-Ga2O3 MISFETs with a h-BN Gate Insulator
著者 (3件):
Jo Sangwook
(School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea)
,
Yoo Geonwook
(School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea)
,
Heo Junseok
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon, Korea)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
74
号:
12
ページ:
1171-1175
発行年:
2019年
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)