文献
J-GLOBAL ID:201902251260425821
整理番号:19A1328620
バルクおよびシリコンオン薄い埋め込み酸化物(SOTB)MOSFETにおける高温でのドレイン誘起障壁低下およびサブスレッショルドスロープの変動の低減
Reduced variability of drain-induced barrier lowering and subthreshold slope at high temperature in bulk and silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) MOSFETs
著者 (5件):
GAO Shuang
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIZUTANI Tomoko
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKEUCHI Kiyoshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI Masaharu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SB
ページ:
SBBA11.1-SBBA11.9
発行年:
2019年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)