文献
J-GLOBAL ID:201902251373071259
整理番号:19A1716841
SiC-MOSFETへのdV/dt衝突の温度依存性【JST・京大機械翻訳】
Temperature Dependence of dV/dt Impact on the SiC-MOSFET
著者 (2件):
Nakata Shuhei
(Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi Japan 8chome Ohgigaoka)
,
Tanaka Shota
(Kanazawa Institute of Technology, Electrical and Electronics Enginnering Japan)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
963
ページ:
596-599
発行年:
2019年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)