文献
J-GLOBAL ID:201902251555870667
整理番号:19A2114531
フラックス膜被覆NaフラックスLPE(FFC-LPE)法を用いた高品質GaN単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】
Growth of high-quality GaN single crystals using the Flux-Film-Coated Na flux LPE (FFC-LPE) method
著者 (2件):
Kawamura Fumio
(National Institute for Materials Science, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(National Institute for Materials Science, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)