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文献
J-GLOBAL ID：201902251792722726
整理番号：19A0440832
金属箔と多結晶Si基板上に成長させたGaN系ナノ結晶の形態の違い【JST・京大機械翻訳】
Differences in Morphologies of GaN-Based Nanocrystals Grown on Metal-Foils and Multi-Crystalline Si Substrates
Sato Yuichi
(Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan)
,
Fujiwara Atomu
(Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan)
,
Trung Nguyen Duc
(Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan)
,
Saito Sora
(Akita University, Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita, Japan)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 941 ページ： 2109-2114 発行年： 2019年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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