文献
J-GLOBAL ID:201902252067435140
整理番号:19A1414900
炭化ケイ素における単一複空格子点のStark同調と電荷状態制御【JST・京大機械翻訳】
Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide
著者 (6件):
de las Casas Charles F.
(Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
,
Christle David J.
(Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
,
Ul Hassan Jawad
(Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden)
,
Ohshima Takeshi
(National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan)
,
Son Nguyen T.
(Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden)
,
Awschalom David D.
(Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
26
ページ:
262403-262403-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)