文献
J-GLOBAL ID:201902252369609739
整理番号:19A1416415
動的メモリ応用のための平面トリゲートトンネル電界効果トランジスタの動作への洞察【JST・京大機械翻訳】
Insights into operation of planar tri-gate tunnel field effect transistor for dynamic memory application
著者 (2件):
Navlakha Nupur
(Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Simrol 453552, India)
,
Kranti Abhinav
(Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Simrol 453552, India)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
4
ページ:
044502-044502-9
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)