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J-GLOBAL ID:201902253390569385   整理番号:19A0863277

急速熱アニーリングにより作製したMg_2Ge pn接合フォトダイオードのIR光応答特性【JST・京大機械翻訳】

IR photoresponse characteristics of Mg2Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing
著者 (9件):
El-Amir Ahmed A.M.
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
El-Amir Ahmed A.M.
(Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
Ohsawa Takeo
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
Oshima Yuichi
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
Nakamura Masaru
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
Shimamura Kiyoshi
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
Shimamura Kiyoshi
(Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
Ohashi Naoki
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
Ohashi Naoki
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Midori, Yokohama 226-8503, Japan)

資料名:
Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)

巻: 787  ページ: 578-584  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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