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文献
J-GLOBAL ID：201902253390569385
整理番号：19A0863277
急速熱アニーリングにより作製したMg_2Ge pn接合フォトダイオードのIR光応答特性【JST・京大機械翻訳】
IR photoresponse characteristics of Mg2Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing
El-Amir Ahmed A.M.
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
El-Amir Ahmed A.M.
(Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Ohsawa Takeo
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Oshima Yuichi
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Nakamura Masaru
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Shimamura Kiyoshi
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Shimamura Kiyoshi
(Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Ohashi Naoki
(National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Ohashi Naoki
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Midori, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 787 ページ： 578-584 発行年： 2019年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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