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文献
J-GLOBAL ID：201902254001811220
整理番号：19A1328647
共焦点ラマン顕微鏡による熱酸化で発生したSiO2/4H-SiC界面での応力の研究
Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy
FU Wei
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI Ai
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YANO Hiroshi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
UEDA Akiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HARADA Shinsuke
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKURAI Takeaki
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SB ページ： SBBD03.1-SBBD03.5 発行年： 2019年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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