文献
J-GLOBAL ID:201902254001811220
整理番号:19A1328647
共焦点ラマン顕微鏡による熱酸化で発生したSiO2/4H-SiC界面での応力の研究
Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy
著者 (6件):
FU Wei
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI Ai
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YANO Hiroshi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
UEDA Akiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HARADA Shinsuke
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKURAI Takeaki
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SB
ページ:
SBBD03.1-SBBD03.5
発行年:
2019年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)