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文献
J-GLOBAL ID：201902255350303001
整理番号：19A0470192
転位フィルタを用いたSi上の1.7eV Al_0.2Ga_0.8Asおよび1.42eV GaAs太陽電池のMBE成長:III-V/Si太陽電池アーキテクチャに向けた代替経路【JST・京大機械翻訳】
MBE growth of 1.7eV Al0.2Ga0.8As and 1.42eV GaAs solar cells on Si using dislocations filters: an alternative pathway toward III-V/ Si solar cells architectures
Onno Arthur
(Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
,
Tang Mingchu
(Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
,
Wang Mu
(Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
,
Maidaniuk Yurii
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA)
,
Benamara Mourad
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA)
,
Mazur Yuriy I.
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA)
,
Salamo Gregory J.
(Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA)
,
Oberbeck Lars
(Renewables & Power, Total Gas, Paris La Defense, 92069, France)
,
Wu Jiang
(Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
,
Liu Huiyun
(Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： PVSC ページ： 3370-3375 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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