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文献
J-GLOBAL ID：201902255912258649
整理番号：19A0527734
樹脂で成形した窒化ケイ素基板における絶縁破壊の進展【JST・京大機械翻訳】
Evolution of PD properties till breakdown in silicon nitride substrate molded with resin
Akinaga Yuya
(Kyushu Institute of Technology)
,
Maki Junya
(Kyushu Institute of Technology)
,
Kozako Masahiro
(Kyushu Institute of Technology)
,
Hikita Masayuki
(Kyushu Institute of Technology)
,
Nakamura Yoko
(Fuji Electric Co., Ltd.)
,
Taniguchi Katsumi
(Fuji Electric Co., Ltd.)
,
Ikeda Tadanari
(Fuji Electric Co., Ltd.)
,
Okamoto Kenji
(Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISEIM ページ： 664-667 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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