文献
J-GLOBAL ID:201902255964461876
整理番号:19A1113399
極低温における陽子下の電子デバイスの特性評価のためのセットアップの評価【JST・京大機械翻訳】
Assessment of a Setup for the Characterization of Electronic Devices under Protons at Cryogenic Temperature.
著者 (7件):
Bezerra F.
(Centre National d’Etudes Spatiales, Toulouse, 31401, FRANCE)
,
Boutillier M.
(Centre National d’Etudes Spatiales, Toulouse, 31401, FRANCE)
,
Baradat B.
(Centre National d’Etudes Spatiales, Toulouse, 31401, FRANCE)
,
Chatry N.
(TRAD, Labe`ge, 31670, FRANCE)
,
Dossat C.
(TRAD, Labe`ge, 31670, FRANCE)
,
Garcia P.
(TRAD, Labe`ge, 31670, FRANCE)
,
Pourrouquet P.
(TRAD, Labe`ge, 31670, FRANCE)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RADECS
ページ:
1-6
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)