文献
J-GLOBAL ID:201902256654910930
整理番号:19A1413678
蓄積モードゲートセンサによるシリコン量子ドットの分散読出し【JST・京大機械翻訳】
Dispersive readout of a silicon quantum dot with an accumulation-mode gate sensor
著者 (4件):
Rossi A.
(Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
,
Zhao R.
(School of Electrical Engineering and Telecommunications, The University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
,
Dzurak A. S.
(School of Electrical Engineering and Telecommunications, The University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
,
Gonzalez-Zalba M. F.
(Hitachi Cambridge Laboratory, J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
21
ページ:
212101-212101-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)