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J-GLOBAL ID:201902256901252316   整理番号:19A1413855

誘電体としてTiO_2を用いた三次元MIM構造において達成された185nF/mm_2の高静電容量密度【JST・京大機械翻訳】

High capacitance density of 185 nF/mm2 achieved in three-dimensional MIM structures using TiO2 as a dielectric
著者 (4件):
Chaker A.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
Gonon P.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
Vallee C.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
Bsiesy A.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 110  号: 24  ページ: 243501-243501-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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