文献
J-GLOBAL ID:201902256901252316
整理番号:19A1413855
誘電体としてTiO_2を用いた三次元MIM構造において達成された185nF/mm_2の高静電容量密度【JST・京大機械翻訳】
High capacitance density of 185 nF/mm2 achieved in three-dimensional MIM structures using TiO2 as a dielectric
著者 (4件):
Chaker A.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
,
Gonon P.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
,
Vallee C.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
,
Bsiesy A.
(University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
24
ページ:
243501-243501-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)