文献
J-GLOBAL ID:201902257704277841
整理番号:19A0659105
トリシランにより可能になった軸Si/Geナノワイヤヘテロ構造の低温成長【JST・京大機械翻訳】
Low-Temperature Growth of Axial Si/Ge Nanowire Heterostructures Enabled by Trisilane
著者 (5件):
Hui Ho Yee
(School of Chemical & Biomolecular Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States)
,
de la Mata Maria
(Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and The Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), Catalonia, Spain)
,
Arbiol Jordi
(Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and The Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), Catalonia, Spain)
,
Arbiol Jordi
(ICREA, Catalonia, Spain)
,
Filler Michael A.
(School of Chemical & Biomolecular Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
29
号:
8
ページ:
3397-3402
発行年:
2017年
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)