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文献
J-GLOBAL ID：201902258479043761
整理番号：19A2355662
RFスパッタリングにより堆積した非晶質Ga2Te3膜の高信頼性閾値スイッチング挙動
Highly reliable threshold switching behavior of amorphous Ga2Te3 films deposited by RF sputtering
LEE Dayoon
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Taeho
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
SOHN Hyunchul
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 12 号： 8 ページ： 085504.1-085504.5 発行年： 2019年08月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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