文献
J-GLOBAL ID:201902258806147332
整理番号:19A2114813
In_0.5Ga_0.5As量子ドットの励起スピン特性に及ぼすキャッピング層の成長温度の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of growth temperature of a capping layer on excited spin properties of In0.5Ga0.5As quantum dots
著者 (5件):
Nakamura Yuto
(Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo, 060-8628, Japan)
,
Hiura Satoshi
(GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Sato Shino
(Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo, 060-8628, Japan)
,
Takayama Junichi
(GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Murayama Akihiro
(GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1-2
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)