文献
J-GLOBAL ID:201902259043884953
整理番号:19A2114797
Al_2O_3ゲート絶縁体を用いたn極GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】
N-polar GaN HEMT with Al2O3gate insulator
著者 (6件):
Hayasaka A.
(Tokyo Institute of Technology)
,
Aonuma R.
(Tokyo Institute of Technology)
,
Hotta K.
(Tokyo Institute of Technology)
,
Makabe I.
(Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd)
,
Yoshida S.
(Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd)
,
Miyamoto Y.
(Tokyo Institute of Technology)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1-2
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)