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文献
J-GLOBAL ID:201902259165836506   整理番号:19A1416643

Al_2O_3/InGaAsゲートスタックの境界トラップ分析改善のための直列抵抗とゲート漏れ補正【JST・京大機械翻訳】

Series resistance and gate leakage correction for improved border trap analysis of Al2O3/InGaAs gate stacks
著者 (4件):
Tang K.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
Scheuermann A. G.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
Zhang L.
(Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
McIntyre P. C.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 122  号:ページ: 094503-094503-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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