文献
J-GLOBAL ID:201902259165836506
整理番号:19A1416643
Al_2O_3/InGaAsゲートスタックの境界トラップ分析改善のための直列抵抗とゲート漏れ補正【JST・京大機械翻訳】
Series resistance and gate leakage correction for improved border trap analysis of Al2O3/InGaAs gate stacks
著者 (4件):
Tang K.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
Scheuermann A. G.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
Zhang L.
(Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
,
McIntyre P. C.
(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
9
ページ:
094503-094503-6
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)