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文献
J-GLOBAL ID：201902259201154923
整理番号：19A0466137
大面積集積のための低熱収支下でのトップゲートおよびAl_2O_3不動態化によるスパッタ蒸着MOS_2N MISFET【JST・京大機械翻訳】
Sputter-Deposited-MoS2 ${n}$ MISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration
Matsuura Kentaro
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Shimizu Jun’Ichi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Toyama Mayato
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Ohashi Takumi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Muneta Iriya
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Ishihara Seiya
(School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Japan)
,
Kakushima Kuniyuki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Tsutsui Kazuo
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
,
Ogura Atsushi
(School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Japan)
,
Wakabayashi Hitoshi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6 ページ： 1246-1252 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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