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文献
J-GLOBAL ID：201902259952757487
整理番号：19A0875965
金属Cd源を用いた(211)Si基板上の(133)および(211)CdTeの気相エピタクシー【JST・京大機械翻訳】
Vapor Phase Epitaxy of (133) and (211) CdTe on (211) Si Substrates Using Metallic Cd Source
Iso Kenji
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
,
Iso Kenji
(R&TD Center, Tsukuba Plant, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Ibaraki, Japan)
,
Gokudan Yuya
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
,
Shiraishi Masumi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
,
Nishikado Minae
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
,
Koukitu Akinori
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 48 号： 1 ページ： 454-459 発行年： 2019年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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