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文献
J-GLOBAL ID：201902263006452171
整理番号：19A1465500
光近接場によるシリコンの間接バンドギャップ半導体における直接波ベクトル励起【JST・京大機械翻訳】
Direct Wave-Vector Excitation in an Indirect-Band-Gap Semiconductor of Silicon with an Optical Near-field
Noda Masashi
(Department of Theoretical and Computational Molecular Science, Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki, 444-8585, Japan)
,
Iida Kenji
(Department of Theoretical and Computational Molecular Science, Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki, 444-8585, Japan)
,
Yamaguchi Maiku
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Yatsui Takashi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Nobusada Katsuyuki
(Department of Theoretical and Computational Molecular Science, Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki, 444-8585, Japan)
資料名：
Physical Review Applied
(Physical Review Applied)
巻： 11 号： 4 ページ： 044053 発行年： 2019年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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