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文献
J-GLOBAL ID：201902263244044788
整理番号：19A1375550
ミストCVD法によるn+-Si(100)基板上への強誘電体HfO2薄膜の作製とその電気的特性
田原大祐
(京都工繊大)
,
西中浩之
(京都工繊大)
,
野田実
(京都工繊大)
,
佐藤翔太
(高知工科大)
,
川原村敏幸
(高知工科大)
,
吉本昌広
(京都工繊大)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th ページ： ROMBUNNO.11a-W351-2 発行年： 2019年02月25日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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