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J-GLOBAL ID：201902263676179110 整理番号：19A2173406

基板形態とエピタキシャル成長条件を用いたHBN/グラフェンヘテロ構造の整合性の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring commensurability of hBN/graphene heterostructures using substrate morphology and epitaxial growth conditions

著者 (9件)：

Pennachio Daniel J.

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106)

Ornelas-Skarin Chance C.

(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Irvine, California 92697)

Wilson Nathaniel S.

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106)

Rosenberg Samantha G.

(American Society of Engineering Education, 1818N Street NW, Suite 600, Washington, DC 20036)

Daniels Kevin M.

(National Research Council, 500 5th Street NW, Washington, DC 20001)

Myers-Ward Rachael L.

(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375)

Gaskill D. Kurt

(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375)

Eddy Charles R. Jr.

(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375)

Palmstrom Christopher J.

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻： 37 号： 5 ページ： 051503-051503-10 発行年： 2019年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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