文献
J-GLOBAL ID:201902263777078734
整理番号:19A1183130
3Dハイブリッドナノ構造のための紫外線ナノインプリントリソグラフィー適合性ポジ型電子ビームレジスト【JST・京大機械翻訳】
Ultra-violet nanoimprint lithography-compatible positive-tone electron beam resist for 3D hybrid nanostructures
著者 (3件):
Okabe Takao
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan)
,
Maebashi Hiroo
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan)
,
Taniguchi Jun
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
213
ページ:
6-12
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)