文献
J-GLOBAL ID:201902264195400833
整理番号:19A1956806
ナノスケール電子デバイスの正確なモデリングのためのNEGFと経験的擬ポテンシャルに基づく量子輸送モデル【JST・京大機械翻訳】
Quantum transport models based on NEGF and empirical pseudopotentials for accurate modeling of nanoscale electron devices
著者 (2件):
Pala Marco G.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 10 Boulevard Thomas Gobert, 91120 Palaiseau, France)
,
Esseni David
(DPIA, University of Udine, Via delle Scienze 206, 33100 Udine, Italy)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
126
号:
5
ページ:
055703-055703-11
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)