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文献
J-GLOBAL ID：201902264244172737
整理番号：19A1902566
ゲート制御のないSn_0.02-Bi_1.08Sb_0.9Te_2Sにおける成長したままの単結晶フレークのDirac表面状態の量子Hall効果【JST・京大機械翻訳】
Quantum Hall effect of Dirac surface states of as-grown single crystal flakes in Sn0.02-Bi1.08Sb0.9Te2S without gate control
Ichimura Kakeru
(Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
,
Matsushita Stephane Yu
(Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
,
Huynh Kim-Khuong
(WPI-Advanced Institute for Materials Research, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan)
,
Tanigaki Katsumi
(Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 115 号： 5 ページ： 052104-052104-5 発行年： 2019年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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