文献
J-GLOBAL ID:201902264416339786
整理番号:19A2664493
ZnリッチCu_2zn_4吸収層におけるMoSe_2形成に関するZn/Sn比の機構研究【JST・京大機械翻訳】
Mechanism study of Zn/Sn ratio on the MoSe2 formation in Zn-rich Cu2ZnSnSe4 absorber layer
著者 (2件):
Lin Yi-Cheng
(Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan)
,
Hsu Ya-Ru
(Department of Mechatronics Engineering, National Changhua University of Education, Changhua, Taiwan)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
30
号:
19
ページ:
17540-17546
発行年:
2019年
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)