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文献
J-GLOBAL ID：201902264515529535
整理番号：19A0109462
非晶質III-VI族半導体シェルの形成によるAgInS2半導体ナノ粒子からの狭帯域端光ルミネセンス
Narrow band-edge photoluminescence from AgInS2 semiconductor nanoparticles by the formation of amorphous III-VI semiconductor shells
UEMATSU Taro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WAJIMA Kazutaka
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHARMA Dharmendar Kumar
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
HIRATA Shuzo
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO Takahisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KAMEYAMA Tatsuya
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
VACHA Martin
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
TORIMOTO Tsukasa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KUWABATA Susumu
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
NPG Asia Materials (Web)
(NPG Asia Materials (Web))
巻： 10 号： Aug ページ： 713-726 (WEB ONLY) 発行年： 2018年08月
JST資料番号： U0883A ISSN： 1884-4057 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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