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J-GLOBAL ID：201902264528858361 整理番号：19A0610537

サンドブラスト法により形成したn型シリコン基板上の微細傷構造からの電界放出

Field-Emission from Finely Nicked Structures on n-Type Silicon Substrate Formed by Sandblasting Process

著者 (2件)：

YOSHIMOTO Tomomi

(Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Toyo University)

IWATA Tatsuo

(Graduate School of Engineering, Mie University)

資料名：

IEICE Transactions on Electronics (Web) (IEICE Transactions on Electronics (Web))

巻： E102.C 号： 2 ページ： 207-210(J-STAGE) 発行年： 2019年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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