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文献
J-GLOBAL ID：201902264875065123
整理番号：19A0026438
MOVPEにより成長させたp型GaN層における炭素関連キャリア補償の起源【JST・京大機械翻訳】
The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE
Narita Tetsuo
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Yokomichi, Nagakute 480-1192, Japan)
,
Tomita Kazuyoshi
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Yokomichi, Nagakute 480-1192, Japan)
,
Tokuda Yutaka
(Aichi Institute of Technology, Toyota 470-0392, Japan)
,
Kogiso Tatsuya
(Aichi Institute of Technology, Toyota 470-0392, Japan)
,
Horita Masahiro
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Kachi Tetsu
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 124 号： 21 ページ： 215701-215701-6 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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