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文献
J-GLOBAL ID：201902264964407960
整理番号：19A1893673
超低エネルギー非晶質化を可能にする逆抵抗変化Cr_2Ge_2Te_6ベースPCRAM【JST・京大機械翻訳】
Inverse Resistance Change Cr2Ge2Te6-Based PCRAM Enabling Ultralow-Energy Amorphization
Hatayama Shogo
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Sutou Yuji
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Shindo Satoshi
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Saito Yuta
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
,
Song Yun-Heub
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Korea)
,
Ando Daisuke
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Koike Junichi
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 10 号： 3 ページ： 2725-2734 発行年： 2018年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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