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文献
J-GLOBAL ID：201902264982405197
整理番号：19A1413704
Ti/HfO_xベース1T1RバイポーラRRAMのスケーラビリティと信頼性問題:発生,緩和,および解決策【JST・京大機械翻訳】
Scalability and reliability issues of Ti/HfOx-based 1T1R bipolar RRAM: Occurrence, mitigation, and solution
Rahaman Sk. Ziaur
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
,
Lee Heng-Yuan
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
,
Chen Yu-Sheng
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
,
Lin Yu-De
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
,
Chen Pang-Shiu
(Department of Materials and Chemical Engineering, MingShin University of Science and Technology, Hsinchu 304, Taiwan)
,
Chen Wei-Su
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
,
Wang Pei-Hua
(Electronic and Optoelectronic System Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 21 ページ： 213501-213501-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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