文献
J-GLOBAL ID:201902265015519367
整理番号:19A1647520
単一分子電界効果トランジスタにおけるDirac円錐誘起ゲーティング増強【JST・京大機械翻訳】
Dirac-cone induced gating enhancement in single-molecule field-effect transistors
著者 (10件):
Sun Hantao
(Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China. smhou@pku.edu.cn jianhui.liao@pku.edu.cn)
,
Liu Xunshan
,
Su Yanjie
,
Deng Bing
,
Peng Hailin
,
Decurtins Silvio
,
Sanvito Stefano
,
Liu Shi-Xia
,
Hou Shimin
,
Liao Jianhui
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
11
号:
27
ページ:
13117-13125
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)