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文献
J-GLOBAL ID：201902265066688802
整理番号：19A1555497
低出力カンチレバーベース金属酸化物半導体ガスセンサ【JST・京大機械翻訳】
A Low Power Cantilever-Based Metal Oxide Semiconductor Gas Sensor
Xie Dongcheng
(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
,
Chen Dongliang
(School of Information Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
,
Peng Shufeng
(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
,
Yang Yujie
(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
,
Xu Lei
(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
,
Wu Feng
(School of Information Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 40 号： 7 ページ： 1178-1181 発行年： 2019年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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