文献
J-GLOBAL ID:201902265086674575
整理番号:19A2744929
FD-SOI技術におけるESD保護のための薄膜シリコンBiMOSデバイスのトポロジーと設計研究【JST・京大機械翻訳】
Topology and design investigation on thin film silicon BIMOS device for ESD protection in FD-SOI technology
著者 (9件):
Galy Ph.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
de Conti L.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
de Conti L.
(IMEP, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble Cedex 1, France)
,
de Conti L.
(CEA LETI, 17 Avenue des martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Delahaye G.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Delahaye G.
(TIMA - CNRS/Universite Grenoble-Alpes/Grenoble INP, 46 Avenue Felix Viallet, 3800 Grenoble, France)
,
Anghel L.
(TIMA - CNRS/Universite Grenoble-Alpes/Grenoble INP, 46 Avenue Felix Viallet, 3800 Grenoble, France)
,
Vinet M.
(CEA LETI, 17 Avenue des martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
,
Cristoloveanu S.
(IMEP, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble Cedex 1, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
100-101
ページ:
Null
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)