文献
J-GLOBAL ID:201902265113967134
整理番号:19A0036785
ランダム注入機構に基づくSRAMシングルイベント効果シミュレーション法【JST・京大機械翻訳】
SRAM Single Event Effect Simulation Method Based on Random Injection Mechanism
著者 (5件):
Li Zhi-Bing
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Liu Yi
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Xu Chang-Qing
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Song Lu-Tao
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Wu Han-Peng
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ICSICT
ページ:
1-3
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)