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文献
J-GLOBAL ID：201902265148569704
整理番号：19A2652329
高いElectron移動度と広い吸収範囲を有する新しいSb_2Te_3-xSe_x単分子層【JST・京大機械翻訳】
New Sb2Te3-xSex Monolayers with High Electron Mobilities and Wide Absorption Range
Chen Ying
(Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China)
,
Wu Yu
(Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China)
,
Xu Ke
(Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China)
,
Ma Congcong
(Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China)
,
Lu Zixuan
(Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China)
,
Zhang Xintong
(Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China)
,
Zhang Hao
(Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China)
,
Zhang Hao
(Nanjing University, National Laboratory of Solid State Microstructure, China)
,
Zhu Heyuan
(Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, China)
,
Fang Zhilai
(Academy for Engineering and Technology, Fudan University, and Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, China)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11 号： 40 ページ： 37216-37228 発行年： 2019年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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