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J-GLOBAL ID：201902265564731740 整理番号：19A1414334

低電力応用のためのMOCVDを用いたIMF成長モードによる高品質n型GaSb/GaAsヘテロ構造の成長と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Growth and characterization of high quality N-type GaSb/GaAs heterostructure by IMF growth mode using MOCVD for low power application

著者 (8件)：

Hsiao Chih Jen

(Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Science and Technology, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan)

Kakkerla Ramesh Kumar

(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Chang Po Chun

(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Lumbantoruan Franky Juanda

(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Lee Tsu Ting

(International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Lin Yueh Chin

(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Chang Shoou Jinn

Chang Edward Yi

(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 111 号： 16 ページ： 162108-162108-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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