文献
J-GLOBAL ID:201902265781474715
整理番号:19A1888550
強い光条件下でのSchottky障壁の表面光起電力の測定 レーザ時間分解極端紫外光電子分光法によるZn/p-Si(100)【JST・京大機械翻訳】
Measuring the Surface Photovoltage of a Schottky Barrier under Intense Light Conditions: Zn/p-Si(100) by Laser Time-Resolved Extreme Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
著者 (6件):
Marsh Brett M.
,
Vaida Mihai E.
(Department of Chemistry, Department of Physics, University of Central Florida, FL, United States)
,
Cushing Scott K.
,
Lamoureux Bethany R.
,
Leone Stephen R.
(Department of Physics, University of California, Berkeley, California, United States)
,
Leone Stephen R.
(Chemical Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
121
号:
40
ページ:
21904-21912
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)