文献
J-GLOBAL ID:201902265944543939
整理番号:19A1415889
非極性GaN上の原子層堆積高kの界面特性評価【JST・京大機械翻訳】
Interface characterization of atomic layer deposited high-k on non-polar GaN
著者 (3件):
Jia Ye
(Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA)
,
Zeng Ke
(Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA)
,
Singisetti Uttam
(Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
15
ページ:
154104-154104-8
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)