文献
J-GLOBAL ID:201902266043182426
整理番号:19A0515191
電場制御磁気ランダムアクセスメモリにおける書き込み誤り率と読出し擾乱【JST・京大機械翻訳】
Write Error Rate and Read Disturbance in Electric-Field-Controlled Magnetic Random-Access Memory
著者 (13件):
Grezes Cecile
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Lee Hochul
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Lee Albert
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Wang Shaodi
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Ebrahimi Farbod
(Inston Inc., Los Angeles, CA, USA)
,
Li Xiang
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Wong Kin
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Katine Jordan A.
(HGST Inc., San Jose, CA, USA)
,
Ocker Berthold
(Singulus Technologies AG, Kahl am Main, Germany)
,
Langer Jurgen
(Singulus Technologies AG, Kahl am Main, Germany)
,
Gupta Puneet
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Khalili Amiri Pedram
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
,
Wang Kang L.
(University of California, Los Angeles, CA, USA)
資料名:
IEEE Magnetics Letters
(IEEE Magnetics Letters)
巻:
8
ページ:
ROMBUNNO.3102705.1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2299A
ISSN:
1949-307X
CODEN:
IMLEA3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)