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文献
J-GLOBAL ID：201902266070447232
整理番号：19A1888702
Cu_9S_5の第一原理研究:新しいp型導電性半導体【JST・京大機械翻訳】
First-Principles Study of Cu9S5: A Novel p-Type Conductive Semiconductor
Peng Zhi
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Li Sibai
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Weng Mouyi
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Zhang Mingjian
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Xin Chao
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Du Zheng
(National Supercomputing Center in Shenzhen, People’s Republic of China)
,
Zheng Jiaxin
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
,
Pan Feng
(School of Advanced Materials, Peking University, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121 号： 42 ページ： 23317-23323 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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