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文献
J-GLOBAL ID：201902266564754279
整理番号：19A2223839
SiとGeにおける転位に沿った電荷キャリアの輸送【JST・京大機械翻訳】
Transport of Charge Carriers along Dislocations in Si and Ge
Kittler Martin
(Brandenburg University of Technology, Erich-Weinert-Str. 1, 03046, Cottbus, Germany)
,
Kittler Martin
(IHP Microelectronics, PF 1466, 15204, Frankfurt (Oder), Germany)
,
Reiche Manfred
(CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany)
,
Schwartz Bernhard
(Brandenburg University of Technology, Erich-Weinert-Str. 1, 03046, Cottbus, Germany)
,
Schwartz Bernhard
(IHP Microelectronics, PF 1466, 15204, Frankfurt (Oder), Germany)
,
Uebensee Hartmut
(CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany)
,
Kosina Hans
(Institute of Microelectronics, Vienna University of Technology, Gusshausstr. 27-29, 1040, Vienna, Austria)
,
Stanojevic Zlatan
(Global TCAD Solutions, Bosendorferstr. 1/12, 1010, Vienna, Austria)
,
Baumgartner Oskar
(Global TCAD Solutions, Bosendorferstr. 1/12, 1010, Vienna, Austria)
,
Ortlepp Thomas
(CIS Research Institute of Microsensorics, Konrad-Zuse-Str. 14, 99099, Erfurt, Germany)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216 号： 17 ページ： e1900287 発行年： 2019年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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